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    硒化銦摻雜物系列半導體 InSe:Ag, InSe:Zn與TlInSe2之晶體成長與光學特性研究
    • 應用科技研究所 /109/ 碩士
    • 研究生: 張瑜恩 指導教授: 何清華
    • 點閱:227下載:0
    • 全文公開日期 2026/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    反應式濺鍍法之不同陶金靶材及氧氣流量對氮摻雜氧化銦鎵鋅薄膜的影響
    • 材料科學與工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 沈倢汝 指導教授: 郭東昊
    • 本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…
    • 點閱:208下載:2

    3

    施體與受體摻雜對氧化銦鎵鋅半導體薄膜特性之研究
    • 材料科學與工程系 /109/ 博士
    • 研究生: 楊天賜 指導教授: 郭東昊
    • 點閱:260下載:0
    • 全文公開日期 2026/02/16 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/02/16 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/02/16 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    4

    電化學刺激對於卵巢癌細胞型態、基因與衰亡原因之研究
    • 應用科技研究所 /109/ 碩士
    • 研究生: 張繻文 指導教授: 王復民
    • 據世界衛生組織統計,於2020年約有二十萬人因卵巢癌而死亡,致死率以亞洲人最高,縱然治療方法日漸發展,但卵巢癌無法於早期被診斷且復發後病患對於抗癌藥物具有抗藥性等原因,進而影響治療效果與病患的生存率…
    • 點閱:215下載:1

    5

    搭配薄化原子層沉積雙層閘極絕緣層製作低操作電壓且高穩定性之金屬氧化薄膜電晶體的開發與研究
    • 電子工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 劉晉瑜 指導教授: 范慶麟
    • 金屬氧化物薄膜電晶體(TFT)由於其高載子遷移率、高光學透明性、良好的均勻性和低製造溫度的出色性能,在未來顯示器與各種智能手機、電腦、感測器等電子產品中引起了廣泛的關注。對於新興的電晶體應用而言,低…
    • 點閱:213下載:0
    • 全文公開日期 2026/08/23 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/08/23 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/08/23 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    6

    類石墨型氮化碳薄膜之雙極式電阻式記憶體
    • 材料科學與工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 吳宇森 指導教授: 周賢鎧
    • 本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎,應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…
    • 點閱:214下載:0
    • 全文公開日期 2024/10/28 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/10/28 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/10/28 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    紫外光臭氧處理和ITO奈米顆粒改質石墨烯 應用於光及氨氣感測器
    • 材料科學與工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 許馨予 指導教授: 周賢鎧
    • 本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯,並利用兩種改質方式修飾石墨烯,一種為紫外光臭氧處理,可以提高石墨烯表面含氧官能基,增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果,另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面,適當分布…
    • 點閱:402下載:0
    • 全文公開日期 2024/09/23 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/09/23 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/09/23 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    III族元素修飾之奈米金自組裝陣列其電學性質之研究
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