檢索結果:共8筆資料 檢索策略: "銦".ckeyword (精準) and year="109"
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…
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據世界衛生組織統計,於2020年約有二十萬人因卵巢癌而死亡,致死率以亞洲人最高,縱然治療方法日漸發展,但卵巢癌無法於早期被診斷且復發後病患對於抗癌藥物具有抗藥性等原因,進而影響治療效果與病患的生存率…
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金屬氧化物薄膜電晶體(TFT)由於其高載子遷移率、高光學透明性、良好的均勻性和低製造溫度的出色性能,在未來顯示器與各種智能手機、電腦、感測器等電子產品中引起了廣泛的關注。對於新興的電晶體應用而言,低…
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本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎,應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…
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本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯,並利用兩種改質方式修飾石墨烯,一種為紫外光臭氧處理,可以提高石墨烯表面含氧官能基,增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果,另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面,適當分布…
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